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面向USB PD 3.1應(yīng)用,EPC新推基于eGaN IC的高功率密度、薄型DC/DC轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計
- EPC推出EPC9177,這是一種基于eGaN?IC的高功率密度、薄型DC/DC轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計,可滿足新型USB PD 3.1對多端口充電器和主板上從28 V~48 V輸入電壓轉(zhuǎn)換至12 V或20 V輸出電壓的嚴(yán)格要求。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出EPC9177,這是一款數(shù)字控制、單輸出同步降壓轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計,工作在?720 kHz 開關(guān)頻率,可轉(zhuǎn)換?48 V、36 V、28 V至穩(wěn)壓12 V輸出電壓,并提供可高達(dá)20 A的連續(xù)輸出電流。這款小面積(21mm?x 13m
- 關(guān)鍵字: USB PD 3.1 EPC eGaN DC/DC轉(zhuǎn)換器
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)于CES 2020展覽展示基于氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)將在2020年1月7日至10日,于美國拉斯維加斯舉行的國際消費電子展(CES 2020)為工程師展示eGaN技術(shù)的龐大潛力,它可以推動多種消費電子應(yīng)用的發(fā)展,從而改變市場的游戲規(guī)則,包括全自動駕駛汽車、機器人、無人機、無線電源、世界第一流的音頻系統(tǒng)及車載解決方案。于CES 2020 展覽,歡迎蒞臨Venetian酒店內(nèi)的EPC演示套房,與氮化鎵專家一起參觀、學(xué)習(xí)及討論氮化鎵技術(shù)如何推動改變世界的創(chuàng)新設(shè)計的發(fā)展。無線電源在家居的應(yīng)用:EPC將展示在家居使用的無線充電桌面同時對多個消
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車規(guī)級80 V EPC2214 eGaN?FET 使得激光雷達(dá)系統(tǒng)看得更清晰
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布再多一個車用氮化鎵(eGaN)器件(80 V的EPC2214)成功通過AEC Q101測試認(rèn)證,可在車用及其它嚴(yán)峻環(huán)境支持多種全新應(yīng)用。基于氮化鎵(eGaN)技術(shù)的產(chǎn)品已進(jìn)行量產(chǎn)超過9年,累計了數(shù)十億小時的實際汽車應(yīng)用經(jīng)驗,包括全自動駕駛汽車的激光雷達(dá)及雷達(dá)系統(tǒng)、應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心計算機的48 V–12 V DC/DC轉(zhuǎn)換器、具有超高保真度的信息娛樂系統(tǒng)及高強度的貨車頭燈等應(yīng)用。這些全新器件已經(jīng)通過嚴(yán)格的AEC Q101測試認(rèn)證,隨后會推出更多面向嚴(yán)峻的車用環(huán)境的分立晶體管及集成
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)第十階段可靠性測試報告的亮點 是車規(guī)級氮化鎵器件超越AEC-Q101應(yīng)力測試的認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)發(fā)布第十階段可靠性測試報告,成功通過車規(guī)級AEC-Q101應(yīng)力測試認(rèn)證。AEC-Q101認(rèn)證要求功率場效應(yīng)晶體管符合最高的可靠性標(biāo)準(zhǔn),不僅僅要求器件符合數(shù)據(jù)表內(nèi)所載的條件而沒有發(fā)生故障,也同時要求在應(yīng)力測試中,具有低漂移。請注意,EPC所采用的晶圓級芯片規(guī)模封裝(WLCSP)也符合所有針對傳統(tǒng)封裝的測試標(biāo)準(zhǔn),展示出該封裝具備卓越性能之同時沒有影響到器件的穩(wěn)固性或可靠性?! 〉谑A段可靠性測試報告探討了超越AEC-Q101認(rèn)證要求的可靠性測試,從而深入了解可導(dǎo)致器件發(fā)生故障的各
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)于CES? 2019展覽展示
- EPC公司將于2019年1月8日至11日在美國拉斯維加斯舉行的國際消費電子展(CES? 2019)展示eGaN?技術(shù)如何實現(xiàn)兩種改變業(yè)界游戲規(guī)則的消費電子應(yīng)用 -- 分別是無線電源及應(yīng)用于全自動駕駛汽車的激光雷達(dá)(LiDAR)?! 〉竭_(dá)位于Venetian酒店的EPC Palazzo hospitality suite后,嘉賓將會進(jìn)入一個無線充電世界。你將看到家居用的無線電源桌面對各種消費電子用品充電,并傳送足夠的功率,同時對電腦、桌燈、鬧鐘、掌上型電腦、手機及便攜裝置進(jìn)行充電而不需要任何電源
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EPC公司于PCIM Asia 2017與工程師進(jìn)行技術(shù)交流 -- 如何在高功率、高度共振式無線充電應(yīng)用中選擇于6.78 MHz工作的放大器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)是硅基增強型氮化鎵場效應(yīng)晶體管及集成電路的領(lǐng)先供應(yīng)商,基于eGaN?FET與集成電路的低成本解決方案是在發(fā)射端采用單個功率放大器,而在接收端無論是采用什么標(biāo)準(zhǔn),也可以實現(xiàn)無線充電。 我們誠摯邀請工程師蒞臨中國上海,出席于2017年6月28日(星期三)上午11時在上海世博展覽館B2層2號會議室舉行的PCIM Asia 2017研討會(電力轉(zhuǎn)換與智能運動研討會)。屆時EPC公司的應(yīng)用工程副總裁Michael de Rooij博士將分享在高
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專為符合A4WP Rezence標(biāo)準(zhǔn)的無線電源傳送應(yīng)用而設(shè)的EPC eGaN功率集成電路在效率及成本方面樹立全新基準(zhǔn)
- 全新EPC2107及EPC2108 eGaN功率集成電路包含單片半橋式器件及集成式自舉功能,專為符合無線充電聯(lián)盟(A4WP)第二及第三級規(guī)范的解決方案而設(shè)。此外,為了讓客戶容易對氮化鎵元件進(jìn)行評估,我們也提供開發(fā)板及包含發(fā)射器及接收器的無線電源傳送解決方案。 近日,宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出內(nèi)含集成式自舉功能的場效應(yīng)晶體管的eGaN半橋功率集成電路 EPC2107(100 V)及EPC2108 (60 V)。該集成電路去除了由柵極驅(qū)動器所引致的反向恢復(fù)損耗,也不需高側(cè)箝位。這是首次在eG
- 關(guān)鍵字: EPC2107 eGaN
EPC瞄準(zhǔn)氮化鎵功率器件市場興起機遇
- 功率器件一直都是由材料引導(dǎo)技術(shù)革新,硅材質(zhì)的MOSFET已經(jīng)應(yīng)用多年,現(xiàn)在面臨在功率密度、工作溫度和更高電壓方面的技術(shù)挑戰(zhàn),而解決這一問題最根本的辦法是采用更高性能的材料。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增強型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管的公司,他們希望借助技術(shù)優(yōu)勢快速推廣其技術(shù)和產(chǎn)品,并于未來數(shù)年間取代硅功率MOSFET器件及IGBT,搶奪超過百億美元的功率轉(zhuǎn)換市場份額。 增強型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管作為寬頻隙器件,其優(yōu)勢包括具有更高功率密度、更
- 關(guān)鍵字: MOSFET EPC eGaN 201406
eGaN FET與硅功率器件比拼之六:隔離型PoE-PSE轉(zhuǎn)換器
- 隔離型磚式轉(zhuǎn)換器被廣泛應(yīng)用于電信系統(tǒng),為網(wǎng)絡(luò)設(shè)備供電,這些轉(zhuǎn)換器可以提供各種標(biāo)準(zhǔn)尺寸及輸入/輸出電壓范圍...
- 關(guān)鍵字: eGaN FET 硅功率器 轉(zhuǎn)換器
eGaN FET比拼MOSFET,驅(qū)動器和布局
- 在本系列的第一篇文章中,我們使用不同的衡量標(biāo)準(zhǔn)對增強型氮化鎵(eGaN)功率器件和先進(jìn)的硅MOSFET進(jìn)行了比較...
- 關(guān)鍵字: eGaN FETMOSFET 硅功率產(chǎn)品 驅(qū)動器
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